产品展示
  • 密码键盘
2B4D5-245469
  • 环保设备
F0DC-494694169
  • 库存化工设备
D369A7DFC-36975
  • 降解薄膜
FD0-17365
  • 电磁阀
3C98EB70-398
联系方式

邮箱:449263022@346.com

电话:059-57849856

传真:059-57849856

视听柜

​(0 0 1) 单晶金刚石上的氢端金刚石 MOSFET,具有最先进的高射频功率密度

2022-12-03 10:23:21      点击:253

       金刚石场效应晶体管(FET)在高频、大功率电子器件中具有巨大的应用潜力。对于高频大功率电子器件,基本要求低缺陷密度的晶圆级单晶半导体材料。(0 0 1)取向单晶金刚石是最有希望通过CVD工艺将晶体尺寸扩展到晶圆尺度的单晶金刚石。在(0 0 1)单晶金刚石上发展高性能金刚石FET 是金刚石的关键需求。

       近日,河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)冯志红团队在(0 0 1)单晶金刚石上制备了具有同质外延层的金刚石FET 。通过拉曼光谱和光致发光光谱测定,同质外延层中的氮杂质含量大大降低。以 100nm Al2O3作为栅极电介质的金刚石场效应晶体管显示出35 Ω·mm 的欧姆接触电阻。最大漏极饱和电流密度为 500 mA/mm,最大跨导为 20.1 mS/mm。由于Al2O3栅介质和单晶金刚石衬底的高质量,金刚石场效应晶体管的漏极工作电压可达−58 V。在2 GHz频率下获得了4.2 W/mm的连续波输出功率密度。4 GHz和10 GHz的输出功率密度也有所提高,分别达到3.1和1.7 W/mm。这项工作显示了单晶金刚石在高频、大功率电子器件上的应用潜力。相关研究以“Hydrogen-terminated diamond MOSFETs on (0 0 1) single crystal diamond with state of the art high RF power density”为题发表在 Functional Diamond 上。

微信截图_20220713084558.png

微信截图_20220713084617.png

微信截图_20220713084648.png

微信截图_20220713084711.png

       文献链接:https://doi.org/10.1080/26941112.2022.2082853

国机精工:CVD法培育钻石和六面顶压机是否扩产需进一步论证
机车与炮 天生一对 首批机车炮正式交付